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General MarcaKINGSTON Garantía2 Part NumberKVR16LS11/4 CategoríasMEMORIAS RAM Memoria Tipo de memoria internaDDR3 RAM4 GB Forma de factor de memoria204-pin SO-DIMM Frecuencia1600 MHz Memory layout (modules x size)1 x 4 GB Latencia CASCL11 Bus de memoria64 Bit Componente paraPortátil Configuración de módulos512M x 64 ECCNo Placa de plomoOro RegistradoNo Tiempo activo en fila35 ns Tiempo de actualización de ciclo de fila260 ns Tiempo de ciclo de fila125 ns, 48 Detalles técnicos Disposición de memoria1 x 4096 MB GarantíaLifetime Indicación de errorNo-ECC Memoria interna4096 MB Montaje en rack204-pin SODIMM Organización de los chipsX8 Velocidad del reloj de bus1600 MHz Condiciones ambientales Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C Control de energía DESCRIPTION This document describes ValueRAMs 512M x 64-bit (4GB) DDR3L-1600 CL11 SDRAM (Synchronous DRAM), 1Rx8, low voltage, memory module, based on eight 512M x 8-bit FBGA components. The SPD is programmed to JEDEC standard latency DDR3-1600 timing of 11-11-11 at 1.35V or 1.5V. This 204-pin SODIMM uses gold contact fingers. The electrical and mechanical specifications are as follows: FEATURES ? JEDEC standard 1.35V and 1.5V Power Supply ? VDDQ = 1.35V and 1.5V ? 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin ? 8 independent internal bank ? Programmable CAS Latency: 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5 ? Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock ? 8-bit pre-fetch ? Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address 000 only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using A12 or MRS] ? Bi-directional Differential Data Strobe ? Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%) ? On Die Termination using ODT pin ? Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE = 95°C ? Asynchronous Reset ? PCB: Height1.18 (30mm), double sided component ? Lead Free RoHS Compliant Document No. VALUERAM1347-001.E00